- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/60 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille de commande étant une région dopée, p.ex. cellules de mémoire en couche unique de polysilicium
Détention brevets de la classe H10B 41/60
Brevets de cette classe: 11
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
3 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
3 |
| eMemory Technology Inc. | 358 |
1 |
| FlashSilicon Incorporation | 24 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
1 |
| SK Keyfoundry Inc. | 240 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |